【专利】一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源

发布者:方仪发布时间:2018-11-19浏览次数:736

一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源,以pGaAs作为衬底层,在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层,而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层,再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层;且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场,通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射,有效抑制侧面光电发射,提高光电发射效率,从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。

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